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因此，在管子工作时对灯丝电压有一个限定的范围，通常在

之内，好工作在额定灯丝电压的标准值下。

另一方面，由于磁控管工作时管子内在固有的电子回轰会导致阴极温度的升高，其温升程度因工作条件而异，通常为50~100K，但输出功率较高的磁控管可达100K以上。在图1中示出了阴极温升与灯丝电压的关系，并且还可看到静态特性与起振后特性两者的差异，这一差异就是起振后的电子对阴极的回轰造成的。

于是设备制成后就极有可能产生各管之间的交叉耦合现象，这种现象的后果，轻则降低各管的输出功率和效率，重则损坏管子，使管子产生非寿命终了的失效。这种现象实际上与相控阵天线设计中遇到的各天线元之间的互耦现象是非常类似的。从相控阵天线理论中我们知道，这种各天线元之间的耦合产生四个效应，其中一个就是改变了每一个辐射元的输入阻抗，使其与单独辐射的输入阻抗发生了改变。在多管馈能时与单管馈能时的这一阻抗的改变，就会导致耦合效率的变化。如果我们在设计单管馈能时达到了佳匹配，那么这种交叉互耦现象的出现只会导致耦合效率的下降，导致输出功率的下降。这一下降程度则取决于交叉耦合的情况，目前尚无非常成功的设计范例和程序，而完全依靠实际经验来摸索。

如果这时我们适当提高灯丝电压,加大灯丝电流以提高阴极的工作温度，使其工作在纯钨阴极相应的额定温度上，管子还是能够工作于”

模式”上，但由于阴极辐射功率的提高，阳极端面的温升会比原钍钨阴极时高得多，因此仍然采用阳极风冷的方法显然是不合适的了，这时应改为水冷阳极以保护阳极及隔模带不致因温升过高产生严重变形，但输出功率及效率可能会下降一些,寿命当然也不会太长.

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